光电子材料InP玷污的研究

Abstract

文章给出了光电子材料InP的（100）和（111）晶面质谱分析的结果，对（100）晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了（100）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅