纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

Abstract

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变