离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究

Authors
Publication date
1 January 2006
Publisher

Abstract

采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能

    Similar works

    Full text

    thumbnail-image

    Available Versions

    Knowledge Repository of SEMI,CAS

    redirect
    oaioai:ir.semi.ac.cn:172111/16625
    Last time updated on 29/11/2016