采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文）

Abstract

开展了使用TEOS和H_2O混合物进行PECVD生长SiO_2膜的研究工作。氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变。薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1.5%(51mm衬底)。利用TEOS源PECVD，并结合退火技术，摸索出厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜，可用于制备氧化硅平面波导器件