Gulay, L.D.

Marchuk, O.V.

Shemet, V.Ya.

Гулай, Л.Д.

Марчук, О.В.

Шемет, В.Я.

Electronic archive of Ternopil National Ivan Puluj Technical University

Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів.  Актуальні задачі сучасних технологій – Тернопіль 11-12 грудня 2013.  44УДК 54 1О.В. Марчук, к.х.н., доц., 2В.Я. Шемет, к.х.н., доц., 1Л.Д. Гулай, д.х.н., проф. 1Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, Україна  2Луцький національний технічний університету, Україна   СИСТЕМА NiS – Y2S3 – GeS2 ЗА ТЕМПЕРАТУРИ 770 К  О.V. Маrchuk, Ph.D., Assoc. Prof., V.Ya. Shemet, Ph.D., Assoc. Prof., L.D. Gulay, Dr., Prof.  THE NiS – Y2S3 – GeS2 SYSTEM AT TEMPERATURE 770 K  Халькогеніди РЗМ є одними із перспективних матеріалів для інфрачервоної та не-лінійної оптики. Завдяки своїм унікальним властивостям, зокрема магнітним характе-ристикам, халькогенідні сполуки застосовують у електроніці, радіо- та електротехніці. Нові халькогенідні матеріали використовують для одержання плівок та композитів, ви-рощування монокристалів, виготовлення елементів напівпровідникових приладів. Вони є цінними легуючими добавками до металів та сплавів, сприяють покращенню мікро-структури і властивостей, підвищують жаростійкість та міцність сплавів, їх антикоро-зійні властивості. Важливим напрямком сучасного напівпровідникового матеріалознавства є ускла-днення досліджуваних систем і, відповідно, речовин, які в них утворюються.  Вивчення фазових рівноваг у складних халькогенвмісних системах є одним із етапів пошуку но-вих матеріалів для задоволення потреб напівпровідникової техніки. Представлені нами дані, щодо характеру фазових рівноваг у системі NiS – Y2S3 – GeS2 є частиною систе-матичного дослідження взаємодії халькогенідів рідкісноземельних металів, елементів IVA групи та d-елементів [1], [2], [3] і ін. Синтез сплавів дослідженої системи проводили з простих речовин із вмістом ос-новного компонента не менше 99,99 ваг. % в електричній муфельній печі з програмним управлінням технологічними процесами МП-30. Максимальна температура синтезу становила 1370 Κ. Гомогенізуючий відпал за температури 770 К проводили протягом 500 годин. Після відпалу ампули зі зразками загартовувались у холодній воді.  Рентге-нофазовий аналіз здійснювали за дифрактограмами, які були отримані на дифрактомет-рі ДРОН 4-13 у межах 2Θ = 10 - 80° (CuKα-випромінювання, крок сканування – 0,05°, експозиція у кожній точці – 5 с). Обробку даних та визначення кристалічної структури здійснювали за допомогою пакету програм CSD [4]. Комплекс проведених досліджень дав нам змогу побудувати ізотермічний переріз системи NiS – GeS2 – Y2S3 за температури 770 К (рис. 1).  Розчинність на основі вихідних компонентів квазіпотрійної системи NiS – Y2S3 – GeS2 є незначною (≈  1 – 2 мол. % відповідного компонента). За температури відпалу сплавів (770 К) при співвідношенні вихідних компонентів 0,5 : 1,5 : 1 нами встановлено утворення нової тетрарної сполуки складу Y3Ni0,5GeS7 (структурний тип La3Mn0.5SiS7, просторова група P63, символ Пірсона hP23) [5].  Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів.  Актуальні задачі сучасних технологій – Тернопіль 11-12 грудня 2013.  45  Рис. 1. Ізотермічний переріз системи NiS – Y2S3 –GeS2 за температури 770 К: 1 – NiS + Y2S3; 2 - NiS + GeS2; 3 – GeS2 + Y3Ge1,25S7; 4 – Y2S3 + Y3Ge1,25S7; 5 – Y2S3 + Y3Ni0.5GeS7; 6 – Y3Ge1,25S7 + Y3Ni0.5GeS7; 7 – NiS + Y3Ni0.5GeS7; 8 – GeS2 + Y3Ni0.5GeS7; 9 –Y2S3 + Y3Ge1,25S7 + Y3Ni0.5GeS7; 10 – NiS + Y2S3 + Y3Ni0.5GeS7; 11 – GeS2 + Y3Ge1,25S7 + Y3Ni0.5GeS7; 12 – NiS + GeS2 + Y3Ni0.5GeS7.  Література 1. Марчук О. Кристалічна структура сполук RMn0.5GeS7 / О. Марчук, Л. Гулай, М. Дашкевич // Збірник наукових праць: Тринадцята наукова конференція “Львівські хімічні читання – 2011”. – Львів, 28 травня – 1 червня 2011 р. –  Львів: ВЦ Львів. нац. ун-ту імені Івана Франка, 2011. – С. Н46. 2. Блашко Н.М., Марчук О.В., Гулай Л.Д. Система MnS – Pr2S3 – GeS2 за темпе-ратури 770 К // Сборник научных трудов SWorld. Материалы международной научно-практической конференции “Перспективные инновации в науке, образовании, произ-водстве и транспорте 2012” – Выпуск 2. Том 9. – Одесса: Куприенко, 2012 – 91 с. 3. Марчук О. В. Система NiS – GeS2 – Pr2S3 за температури 770 К / О. В. Марчук, Л. Д. Гулай, І. І. Мороз // Фізика і хімія твердого тіла: cтан, досягнення і перспективи / Матеріали II всеукраїнської науково-практичної конференції молодих вчених та студентів, 19-20 жовтня 2012 року. – Луцьк: РВВ ЛНТУ, 2012. – С. 113-116. 4 CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treat-ment / [L.G. Aksel′rud, Yu.N. Grin′, P.Yu. Zavalii and others] // Collected Abstracts 12th Eu-ropean Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20–28 August, – 1989. – Vol. 3. – P.155. 5. Pashynska Y. Crystal structure of the R3Ni0.5GeS7 (R = rare earth element) com-pounds / Y. Pashynska, M. Daszkiewicz, O. Marchuk and L. Gulay // Collected Abstracts of the XII International Conference on Crystal Chemistry of Intermetallic Compounds, Lviv, Ukraine, 22-26 September 2013, Ivan Franko National University of Lviv, 2013, 205 p.  

The NiS – Y 2 S 3 – GeS 2 system at temperature 770 K

http://elartu.tntu.edu.ua/bitstream/123456789/4832/1/44-45.pdf

The NiS – Y 2 S 3 – GeS 2 system at temperature 770 K

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

Electronic archive of Ternopil National Ivan Puluj Technical University