Зростаючі потреби в альтернативних джерелах енергії та детекторах
ультрафіолетового (УФ) випромінювання стимулювали в останні роки
інтенсивне дослідження широкозонних напівпровідникових матеріалів.
Одним з основних об’єктів таких досліджень є ZnO, який володіє високим
коефіцієнтом пропускання (Т = 70-80 %) та прозорістю у видимій області
спектру. Плівки ZnO можуть служити гарним матеріалом для створення
ефективних сонячних елементів
