Elektrische und optische Eigenschaften von ErAs und ErAs/GaAs Vielfachschichten hergestellt mit MBE auf GaAs

Abstract

Dünne ErAs-Schichten, die mit MBE auf GaAs aufgewachsen wurden, zeigen sowohl metallische Leitfähigkeit als auch spektral schmalbandige (0,6 meV) optische Absorption bei 1,54 mym Wellenlänge auf Grund von Übergängen innerhalb der 4f-Schale von Er(hoch 3+). Die elektrische Charakterisierung wurde mit temperaturabhängigen Hall-Messungen und Strom/Spannungsmessungen an Dioden durchgeführt. Vorläufige Ergebnisse zeigen, daß die im Absorptionsspektrum beobachteten Kristallfelderaufspaltungen zur Charakterisierung von Gitterverspannungen in ErAs/GaAs-Vielfachschichten verwendet werden können