Dalam kerja ini, nanodawai GaN, GaN berliang (PGaN), dan pengesan gas ammonia (NH3) telah difabrikasi dan dikaji. Sampel nanodawai GaN dalam kerja ini ditumbuh dengan kaedah pemendapan wap kimia (CVD), yang bermod pertumbuhan wapcecair-pepejal (VLS). Untuk pengajian nanodawai GaN, tumpuan diberi terhadap mekanisma pertumbuhan VLS, terutamanya kesan pemangkin logam.
In this work, gallium nitride (GaN) nanowires, porous GaN (PGaN), and ammonia (NH3) gas sensors have been fabricated and studied. The GaN nanowires samples in
this work were grown using chemical vapour deposition (CVD) method, additionally employing vapour-liquid-solid (VLS) growth mode
