3 pagesL'utilisation d'Arséniure de Gallium à orientation alternativement retournée (OP-GaAs) est envisagée pour la réalisation de nouveaux convertisseurs de bandes optiques allouées aux télécommunications. Les techniques de fabrication rapportées entraînent une rugosité des couches guidantes AlxGa1-xAs non négligeable, synonyme de pertes à la propagation. Nous proposons de diminuer cette source de pertes par une nouvelle approche de fabrica-tion, associant une croissance de type EPVH (Epitaxie en Phase Vapeur aux Hydrures) et une étape de polissage