Д. И. Бринкевич, канд. физ.-мат. наук, доц., Белорусский гос. ун-т, Минск. Н. В. Вабищевич, С. А. Вабищевич, канд. физ.-мат. наук, Полоцкий государственный университет. D. I. Brinkevich, kand. fiz.-mat. nauk, doc., Belorusskij gos. un-t, Minsk. N. V. Vabishhevich, S. A. Vabishhevich, kand. fiz.-mat. nauk, Polockij gosudarstvennyj universitet.Методом микроиндентирования исследованы физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе индия. Установлено, что изовалентная примесь индия приводит к снижению микротвердости, микрохрупкости и трещиностойкости эпитаксиальных слоев. В образцах с включениями лантаноидов на случайном распределении значений микротвердости наблюдаются два максимума, один из которых ответственен за включения, а другой - за чистый монокристалл
