L’elettronica organica ha trovato negli anni recenti diverse applicazioni, anche in dispositivi di uso quotidiano, come ad esempio gli schermi OLED (Organic Light Emitting Diode). I semiconduttori organici possono essere depositati con tecniche a basso costo, anche su scala industriale, e su grandi aree, fattore, quest’ultimo, che li rende particolarmente adatti alla fabbricazione di sensori di radiazioni ionizzanti. Il lavoro presentato riguarda la realizzazione di transistor organici a film sottile e la loro caratterizzazione, come transistor e come sensori di raggi X. In particolare, l’obiettivo di questo progetto sperimentale è il confronto delle sensibilità di due tipi di dispositivi fabbricati da soluzioni delle molecole diF-TES-ADT (5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene) e diF-TEG-ADT (5,11-bis(triethylgermylethynyl)anthradithiophene), appartenenti alla classe degli eteroaceni sostituiti. Nella prima molecola sono presenti due gruppi funzionali identici in cui è contenuto un atomo di silicio, mentre nell'altra essi contengono un atomo di germanio, caratterizzato da un numero atomico più alto. In questo lavoro viene dimostrato che il numero atomico più alto, grazie al maggiore coefficiente di assorbimento per la radiazione X, comporta una sensibilità più alta per il sensore di razioni ionizzanti, come confermato dai risultati ottenuti
