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The Research of ESD Protection in CMOS IC

Abstract

随着集成电路的工艺制程的发展,器件的特征尺寸日趋缩小,同时器件的结构愈加的复杂。这使得ESD(ElectroStaticDischarge)事件对芯片的威胁随之增大。因此集成电路中的ESD防护的设计的重要性也日益突显。采用TCAD工具能够方便的对ESD防护器件研究,相比于传统的方法,使用TCAD仿真具有时间和成本上的优势。 本文先对CMOS集成电路中常用的ESD防护器件进行了介绍。这些器件包括电阻,二极管,MOS管,可控硅(SCR)等。对这些器件的基本结构,以及ESD事件下的工作机制作了详细的分析。 其次本文基于仿真工具,对常用的ESD防护器件进行研究。先对仿真的的网格设定的重要性和设定方...With the development of IC process technology, the device feature size has become increasingly narrow, and the structure of the device is even more complex. Which makes the ESD (Electro Static Discharge) threat of events on the chip increases. Also increasingly highlight the importance of ESD protection in integrated circuit design. Compared to traditional methods, using TCAD tools, which has time...学位:工程硕士院系专业:信息科学与技术学院电子工程系_集成电路学号:2312009115267

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