从1954年贝尔实验室的smith发现硅、锗等材料具有压阻效应开始，硅材料就开始被作为压敏原件用于压力测试。到目前为止，人们在压力传感器的设计上做了很多改进与创新来提高器件性能，例如从金属贴片式应变计转化为体硅结构压阻式压力传感器、SOI(silicononinsulator)片代替湿法腐蚀减薄工艺制作敏感薄膜厚度、结构优化设计、电路补偿、以及探索开发出新型压阻材料或者新的工作原理用于制作压力传感器等。 随着工业技术的发展，越来越多的MEMS传感器应用于高温、高压、潮湿、酸碱腐蚀溶液、或者充满静电颗粒和粉尘的环境中。例如基于汽车电子的发动机油压传感器、喷油压力传感器、以及汽车胎压传感器等。因...Since Smith discovered the effect of piezoresistance in silicon and germanium in 1954, silicon material is used as piezoresistance cell in pressure detect devices. Up to now, numerous innovations and improvements have been made for silicon pressure sensor to increase its performance. Such as changing strain gauges into microstructure piezoresistance pressure sensor, using SOI to get an exact membr...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_机械设计及理论学号：1992008115294
