作为第三代半导体材料，合金的禁带宽度可以在0.7eV（InN）~3.4eV(GaN)范围内连续可调，其吸收光谱和太阳光谱有着近乎理想的匹配；它是直接禁带材料，具有很高的吸收系数；并且它具有高硬度，耐高温，耐辐射的优点，这些优点使得合金成为制备高效率太空层叠太阳电池的很有潜力的候选者。本论文在InGaN太阳电池的器件制作、性能测试和理论模拟等方面进行了细致深入的研究工作，具体的研究内容如下： 1.从实验上制备了In组分为0.07和0.13、两种电极结构(半透明扩展层和指状电极)的Ni/InGaN/GaN肖特基势垒太阳电池。通过XRD，AFM，光致发光等实验测试手段对MOCVD生长的InGaN/...As the third generation semiconductors, alloy has many advantages besides that its bandgap varying continuously from 0.7eV (InN) to 3.4eV (GaN) almost covers the whole solar spectrum. InGaN is a direct band gap semiconductor with high absorption coefficient and with the excellent properties of superhigh hardness, radiation resistance and high temperature resistance, InGaN-based tandem solar cells ...学位：工学博士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学学号：1982009015366
