低温键合技术与其他键合技术相比，能够避免高温退火对器件造成的缺陷，在制作微机电系统（MEMS）器件、绝缘体上硅器件（SOI）以及压电和声光器件等领域有着广阔的应用前景。针对传统的低温键合技术不适合解决带活动结构晶圆的键合问题，论文提出了湿法活化与等离子体干法活化相结合的低温键合方法，以硅片的低温键合技术为研究对象，从理论研究、工艺研究以及质量评估三方面开展了如下研究： （1）从化学的角度分析了湿法活化、等离子体干法活化以及湿法活化与等离子体干法活化相结合的具体活化机制，并从表面能入手，对湿法活化与等离子体干法活化相结合的优点进行了分析。紧接着采用赫兹接触理论建立了键合模型，通过对模型的受力分...Comparing with others wafer direct bonding technology, low-temperature bonding technique can avoid the defect caused by high temperature annealing, it is widly used in many production processes of device, such as MEMS (Micro-Electro-Mechanical System), SOI, Piezoelectrics and acoustooptics. Aim at traditional low-temperature bonding technology is not suitable for a mobil wafer, a new low-temperatu...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_测试计量技术及仪器学号：1992009115245
