ZnO:Al（AZO）薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO，成为主要的透明导电氧化物（TCO）材料。相对于ITO材料，AZO薄膜原材料丰富，价格低廉且无污染，是理想的透明导电氧化物材料。目前用以制备AZO薄膜的方法有多种，其中磁控溅射技术因其高的沉积速率与均匀性被认为是重要的制备AZO薄膜的技术之一。 本论文利用射频磁控溅射技术，以ZnO:Al2O3(2wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶AZO薄膜。为了与半导体制造领域的剥离工艺相兼容，所有样品均在室温下沉积。同时应用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫面电子显微镜（SEM）、俄歇电子能谱仪（AES）、...Aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films with low resistivity and high transparency in visible range are promising as alternatives to ITO for transparent conducting oxide (TCO), sicne indium is a very expensive and scarce material, while AZO, the source materials of which are inexpensive and non-toxic, is the best candidate. Nowadays, various technologies have been reported to produce AZO thin f...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：2005130163
