III族氮化物（InN、GaN、AlN及其合金）由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来，由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性，如禁带宽度大小可调（对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱）、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等，吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中，我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池，并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下： 1、制作具有Ni/Au半透明电流扩展层（SCSL）和叉指状（G）两种p型欧姆接触方案的In0.02Ga0.98Np-i-n同质结电池，并对比...III-nitride materials, represented by InN, GaN, AlN and their alloys, have been used to fabricate short-wavelength optoelectronic devices due to their favorable optical and electrical properties. Recently, the application has been extended to high-efficency solar cells due to their superior photovoltaic properties such as tunable energy band gaps of InGaN (which cover almost the whole solar spectr...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：1982007115232
