Si衬底上生长宽禁带II-IV族半导体材料对推进短波光电集成技术的发展有重要的意义。ZnS与Si在晶格常数上具有良好的匹配性，在Si衬底上生长ZnS薄膜成为研究的热点。 本文从发光材料的配制、球磨、烧结入手，用热蒸发和磁控溅射的方法制备了ZnS:Cu,Cl和ZnS:Mn薄膜，用XRD和XPS技术研究退火前后薄膜微结构和化学组成的变化对薄膜光致发光的影响。研究发现：用磁控溅射的方法制备的ZnS:Mn薄膜，由于Mn浓度过高，样品发红光，对应于Mn-Mn离子对发光。退火处理使得微结构有所变化，发光得以增强。高指数的晶面有利于光致发光。在同一条件下用热蒸发的方法在玻璃和硅衬底上制备ZnS:Mn薄膜，...It is important for photoelectric integration to grow wide-band II-IV semiconductor on Si substrate. ZnS is matching with Si on lattice constant, So it is a hotspot to grow ZnS film on Silicon substrate. This article begins with the preparation of raw material, ball milling and sintering. The ZnS:Cu,Cl and ZnS:Mn films were prepared by evaporation and sputtering methods. X-Ray Diffraction(XRD) an...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：20012400
