近年来，氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后，受到广泛研究的新型宽禁带 半导体材料。氧化锌具有岩盐、立方和六角三种晶体结构，形貌结构丰富。探索 材料的生长动力学，研究ZnO材料的结构形貌及其演化、晶体结构稳定性及相变 等科学问题，对促进ZnO基材料及其应用开发具有重要的意义。 我们在Si(100)-2×1再构的基础上，采用分子束外延方法(MBE)进行高精度 ZnO材料的制备，实现原子层量级的生长控制。对生长后的样品进行STM表征分 析，重点原位分析ZnO在Si(100)上的生长动力学，研究ZnO材料的表面/界面特性。 我们实验发现：生长的ZnO混合多晶薄膜，其表面分布着一系...In recent years, new wide bandgap semiconductor material zinc oxide (ZnO) has been extensively studied after gallium nitride (GaN). Zinc oxide has the rock salt, cubic and hexagonal crystal structures. Its morphology is very rich. Explore the growth kinetics of the material, the structure of ZnO materials and evolution of morphology, crystal structure, stability and phase transitions, and othe...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学学号：1982007115229
