InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质量较小，在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器件、高效太阳能电池等光电子领域有着重要的应用前景，使其成为近年来国际研究的热点。然而，由于InN低的离解温度、不稳定的化学剂量、高的氮气分子平衡蒸汽压、以及缺少匹配的衬底，使得制备高质量InN单晶薄膜非常困难。为此，本文利用MOVPE生长技术，通过调节不同的实验参数（包括生长温度、反应室压强以及V/III比），在蓝宝石衬底、GaN缓冲层上外延InN薄膜样品。运用原位监控干涉仪、SEM、XRD以及拉曼散射等不同的表征手段，结合基于第一性原理的ABINIT软件包计算的InN不...InN has attracted much attention in the past decade for the fabrication of future electronic and optoelectronic devices, owing to its remarkable physical properties such as small electron effective mass, high electron drift velocity, and very small band gap. It is, however, difficult to grow InN because of the low dissociation temperature, the high vapor pressure of nitrogen molecules, and the lac...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：1982008115299
