碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙（）,较大的击穿电场（）,较高的电子饱和漂移速率（）和较大的热传导率（），在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙（≤≤）半导体材料之一。4H-SiC具有比6H-SiC更宽的带隙以及更高的电子迁移率,随着高质量单晶材料制备技术上的突破,它被认为是大功率器件方面最有前途的SiC材料。而对于碳化硅材料在半导体电子器件中的运用，控制得到一个良好的金属-半导体界面是非常必要的。为此，人们对金属/SiCSchottky接触进行了大量的工作,但大多数工作都集中在3C-SiC和6H-SiC上面,而对于金属/4H-SiCSchottky接触...Silicon carbide is a promising wide bandgap semiconductor material for high-temperature, high-power, high-frequency and radio resistance device applications because of its wide bandgap（ ）, high critical electric field（ ）, high saturated carrier velocity and high thermal conductivity（ ）. Compared with 6H-SiC, 4H-SiC has larger bandgap and higher saturated carrier velocity. It is necessary to get a ...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：20012403
