本论文采用全息光刻法制作二维图形衬底，利用超高真空化学气相淀积系统（UHV/CVD）在图形衬底上生长有序的Ge/Si岛。系统研究了图形在高温脱氧时产生的变化，分析了图形衬底、淀积条件等对Ge/Si岛生长的影响。利用UHV/CVD系统在平面衬底上生长多层Ge/Si岛，研究不同厚度的Si间隔层对多层Ge/Si岛性质的影响。全息光刻法主要包括曝光和刻蚀。曝光采用三束光同时入射到记录介质中经过一次曝光，从而得到二维图案；刻蚀采用感应耦合等离子刻蚀（ICP）。刻蚀后图形衬底又进行氧化和腐蚀处理，以降低由ICP刻蚀引起的表面粗糙。获得图形衬底的周期为1.2μm，深度为110～120nm。利用UHV/CVD...In this thesis, 2D period patterns have been fabricated on Si substrate by holographic lithography and Ge/Si islands are grown on it through ultra-high vaccun chemical vapor deposition (UHV/CVD). The change of the pattern in the substrate with thermal cleaning in ultra high vacuum, and effect of the growth conditions on Ge islands are systematically studied. The difference of the growth of Ge isla...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_光学学号：2005130166
