Si基Ge材料具有高的载流子迁移率、在光通信波段大的吸收系数，与成熟的Si微电子工艺兼容等特点，被认为是集成光电子器件和下一代微电子器件的重要材料之一。然而，Ge材料的间接带特性成为光子器件，特别是发光器件所面临的最大挑战。本论文希望通过研究应变调控和低维量子限制效应人工裁剪能带结构，结合调制掺杂技术和载流子填充效应，设计制备高效发光的Si基Ge/SiGe异质结构材料，为实现Si基发光器件打下基础。 本文采用低温Ge缓冲层技术在UHV/CVD系统上外延出高质量的Si基Ge薄膜及Ge/SiGe量子阱结构，通过对Ge/SiGe异质结构能带分析，设计并制备出Si基张应变Ge/SiGe量子阱结构、调...Si-based Ge is considered to be one of the promising materials for integration of photonic devices and the next-gneration of microelectronic devices, due to its high carrier mobility, large absorption coefficient in optical communication band and compatible with silicon microelectronic technology. However, it is a great challenge to realize Si-based Ge photonic devices, especially for light emitin...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：1982007115228
