碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率，在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器，因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应，因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年，有一些关于金属/4H-SiC的报道，但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多，而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大，紫外透过率很小，造成大量的反射和吸收损失，影响器件的量子效率及响应度等性能。因此，半透明肖...Silicon carbide is a promising wide bandgap semiconductor material for high-temperature, high-power, high-frequency and anti-radiation device applications because of its wide bandgap,high critical electric field, large saturation electron drift velocity and superior thermal conductivity . Due to wide bandgap ( 3.26eV),ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC can be use...学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理学号：20032401
