绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)由于结合了MOSFET和BJT各自的优点，表现出开关速度高、饱和压降低和可耐高压、大电流等优良特性，是一种用途十分广泛的半导体功率器件，许多领域已经逐步取代了电力晶体管(GTR)和电力场效应晶体管(MOSFET)。目前，国内对IGBT产品的需求量日趋增多，但国内暂时还没有独立的生产厂家，所需的IGBT产品主要依赖进口，因此，开发和研制具有自主知识产权的性能优良的IGBT器件已成为迫切需要，本文鉴于此背景，努力和国内同行一道投入该领域中进行积极探索。 本文首先对IGBT的工作原理进行了简述，接着又简单介绍了...Combining the best attributes of both MOSFET and BJT, the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) shows many advantages, such as voltage driving, high switching speed, low saturation voltage, undertaking high voltage and high current. This semiconductor power device has found abroad applications, and gradually takes the place of GTR and MOSFET. At present the high performance IGBT is needed urgen...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学学号：1982006115182
