当今制造亚微米/纳米器件要求硅片表面必须达到原子水平上的洁净光滑，而硅表面的金属微观污染是造成电子元器件性能失效的重要原因之一。氢氟酸是硅片表面准备过程中最常用的化学试剂，溶液中含有的微量金属离子会对硅片表面产生污染。为了揭示其污染本质，从而控制或消除污染，本论文工作通过采用电化学测试技术（包括直流极化和交流阻抗技术）以及扫描电子显微镜（SEM）、能量散射X射线能谱（EDX）、X光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）等现代表面分析技术对稀释氢氟酸溶液中含有不同微量（10-6~10-9水平）金属（铜、铁、镍、钙）杂质时p型硅片表面的污染行为进行了较系统的研究。另外，我们还利用拉曼(Rama...Today the manufacturing of submicro-or-nano-meter devices are required clean and smooth at an atomic level for silicon surface. One of the important causes of failure in performance of electronic is attribute to metallic micro-contamination on silicon surface. HF is a chemical reagent most commonly used in surface preparation of wafers. Minor metal ions contained in HF solutions contaminate the si...学位：理学硕士院系专业：化学化工学院化学系_物理化学(含化学物理)学号：20022509
