ZnO是一种新型的直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，同时具有较大的激子束缚（60meV），因而可以实现室温或更高温度下的激子诱发的受激紫外辐射发光。作为新一代的宽禁带半导体材料，ZnO具有优异的光学、电学及压电性能，在透明导电薄膜、表面声波器件、发光二极管、压敏电阻器等诸多领域有着广泛的应用。另一方面，ZnO还具有丰富的纳米结构，包括纳米线、纳米管、纳米带、纳米环等，各种ZnO纳米结构在纳米光电子、气敏传感器、场发射等领域有望得到广泛的应用。因此，对ZnO的研究已经成为继GaN之后宽禁带半导体研究的又一热点。 本文主要研究工作和结论如下： 1、采用溶胶-凝胶工艺，...ZnO is a direct band-gap semiconductor (Eg=3.37eV) with a high exaction binding energy of about 60meV, which will favor efficient excitonic emission processes at room temperature. It has been investigated extensively because of its interesting electrical, optical and piezoelectric properties, and it can be used to fabricate transparent conductive film, surface acoustic wave device, and light emitt...学位：工学硕士院系专业：材料学院材料科学与工程系_材料物理与化学学号：2072007115002
