GaN基LED技术的迅速发展带来了照明技术新的革命，使人们的生活进入了固体照明时代。随着LED光效的提升，要求器件具有更大的尺寸和更高的注入电流。如何在大功率的工作条件下，仍能保持并进一步提升器件的光电转换效率，对器件结构设计提出了更大的挑战，也成为了近年来的研究热点。 本论文详细介绍了影响器件性能最为重要的三个物理场因素：电场、热场以及光场。在归纳总结了正装、倒装及垂直结构LED的电流分布解析模型的基础上，提出了改善电流分布均匀性的器件设计方案。讨论了包括焦耳热、非辐射复合热、汤姆逊热及光吸收热等器件自热效应的起源及其模型。着重分析了器件反射基底和表面等离子激元出光增强技术。在分析各物理场...The substantial development of GaN based light-emitting diodes (LEDs) has brought a new revolution in lighting technology, making people living into the new age of solid-state lighting. To enhance the optical power of LED, much larger chip size and higher injection current should be applied. However, it is still currently a challenge to keep and further enhance the wall-plug efficiency at high inj...学位：工程硕士院系专业：物理与机电工程学院_电子与通信工程学号：X200918100
