绝缘层上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）由于结合了Ge材料及SOI材料各自的优点，是近年来兴起的、极具吸引力的Si基新型材料。GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高吸收系数，同时能够很好地解决体Ge材料在器件中的不足，从而在微电子和光电集成方面具有广阔的应用前景。基于GOI材料的波导型探测器，由于集合了GOI的优良特性及波导型结构的优势，能够同时实现高量子效率和高带宽，从而有效提高探测器性能。因此，开展GOI材料的制备及Ge波导型探测器的研制工作具有重要的意义。本文利用智能剥离技术结合键合方法制备了GOI材料，研究其材料特性，并开展了Si基Ge波导型...Germanium-on -Insulator (GOI), which combines the merits of Ge and SOI, is gaining interest as a newly emerged Si-based material. Besides the much higher carrier mobility and its favourable absorption coefficient in the near infrared wavelength regime (1.3~1.55 μm), the ability of overcoming potentially fatal flaws in bulk Ge devices is another practical advantage of GOI. Thus, GOI can be widely u...学位：工学博士院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学学号：1982009015367
