在晶体硅材料制备和硅基器件制造过程中，过渡族金属铜(Cu)和镍(Ni)非常有可能沾污硅片。研究表明，铜和镍在硅中具有很高的扩散系数，并且固溶度随着温度降低而急剧下降，因此在硅片热处理后的冷却过程中容易形成金属沉淀，对硅器件性能及可靠性带来非常不利的影响。因此，硅中过渡族金属的沉淀行为，尤其是铜、镍杂质的沉淀行为一直是硅材料研究领域受到关注的问题。研究铜、镍在晶体硅中的沉淀行为，不仅在理论上有着重要意义，而且对提高硅器件性能和成品率也有重要的作用。本论文通过择优腐蚀和光学显微镜观察，配合傅里叶红外光谱仪，得出了以下一些结论： (1)研究了P型直拉单晶硅中铜沉淀和点缺陷的相互影响。研究发现，在P...Copper (Cu) and Nickel (Ni), as the important transitional metals, are common contaminants during the fabrication of silicon wafer and semiconductor devices. Due to the properties of high diffusion coefficient and sharp solubility dependence on the temperature in silicon, Cu precipitation and Ni precipitation could easily occur during the cooling process. These bring about detrimental effects on t...学位：工学硕士院系专业：材料学院_材料学学号：2072010115009
