【中文摘要】 采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明 ,黄色和蓝色发光与残留杂质有关。采用第一原理计算结果显示 ,残留 C、O杂质、本征缺陷等是黄色和蓝色的可能物理起源。采用原子力显微镜、扫描电镜、透射电镜及其能谱对 Ga N/Al Ga N异质结中的纳米管进行观测 ,了解了纳米管的形貌。结果表明 ,构成纳米管的小面可能是外延过程中表面吸附引起的 ;计算结果显示 ,纳米管形貌变化与 Ga N/Al Ga N界面处晶格失配应力有关。采用透射电镜观察外延层中沉积物及其周围位错的结构表明 ,沉积物附近应力的存在是位错产生的主要原因
【英文摘要】 Blue and yellow luminescence bands in undoped GaN epilayers were investigated and related to main residual C and O impurities by photoluminescence, which are suggested to be attributable to the electron transitions from O N states to V Ga states and between the inner levels of the C N O N complex, respectively, according to ab initio local density functional calculations. Larger nanopipes in undoped GaN/AlGaN hetero epilayers were imaged as dodecagonal pyramidal indentations, using atomic fo...国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :001CB610505 );国家自然科学基金 (批准号 :69976023、90206030、10134030 );福建省自然 科学基金 (批准号 :A0020001);教育部部分资助项
