Nouveau modele electrique de transistor a effet de champ millimetrique : application a la conception d'amplificateurs bas niveau 18-40 GHz

Abstract

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

    Similar works

    Full text

    thumbnail-image

    Available Versions

    Last time updated on 14/06/2016