Contribution a l'etude des defauts d'irradiation et du centre profonf EL2 dans GaAs et GaAlAs pour spectroscopie capacitive

Authors
Publication date
1 January 1988
Publisher

Abstract

CNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc

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