novalas-Teilverband 1: Technologie von Hochleistungsdiodenlasern. Zuechtung versetzungsarmer GaAs-Substratkristalle von 3'' und 4'' Durchmessern mit dem vertikalen Bridgman/Gradient Freeze Verfahren Abschlussbericht

Abstract

SIGLEAvailable from TIB Hannover: F02B1495 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Bildung und Forschung, Berlin (Germany)DEGerman

    Similar works

    Full text

    thumbnail-image

    Available Versions

    Last time updated on 14/06/2016