Corrélation entre propriétés structurales et propriétés de luminescence de films minces d'oxyde et de nitrure de silicium élaborés par évaporation

Abstract

Ce travail est consacré à l'étude de films minces d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium pur ou hydrogéné, respectivement élaborés par évaporation de silicium sous une atmosphère d'oxygène moléculaire ou sous un flux d'ions azote et hydrogène. Les différents films sont ensuite recuits sous vide jusqu'à 1100 C. La structure des films est caractérisée par spectroscopies d'absorption infrarouge, Raman, de photoémission de rayons X, de diffraction de rayons X en incidence rasante et par microscopie électronique à transmission. Les matériaux obtenus sont photoluminescents dans le domaine du visible et à température ambiante. L'origine de l'émission des photons est corrélée à la structure des films. Deux mécanismes de photoluminescence sont mis en évidence : celui de la recombinaison des porteurs entre les queues de bande et celui du confinement quantique des porteurs dans les grains de silicium de taille nanométrique insérés dans une matrice isolante.NANCY1-SCD Sciences & Techniques (545782101) / SudocSudocFranceF