Dépôts chimiques en phase vapeur d'hétérostructures Si/Si(1-x-y)Ge(x)C(y) et Si/Si(1-y)C(y) (application aux transistors n et pMOS à canaux épitaxiés)

Abstract

GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF

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