Contribution à la modélisation des transistors pour l amplification de puissance aux fréquences microondes (développement d un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges)

Abstract

Ce document traîte de la modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs caractéristiques électriques, afin de concevoir des amplificateurs. Le modèle proposé inclut une description dynamique des effets des pièges sur les caractéristiques électriques et des phénomènes thermiques, permettant d augmenter la précision des modèles classiques ainsi que leur domaine de validité.This report deals with the modeling of microwave power transistors, and particularly GaInP/GaAs HBTs and AlGaN/GaN HEMTs for X-band applications. AlGaN/GaN HEMTs have been commercialized recently, hence there is a need for accurate models allowing to describe their electrical characteristics in order to design power amplifiers. The model proposed for AlGaN/GaN HEMTs includes a description of the electrothermal effects and the trapping effects, to improve the accuracy and the validity range of the classical models.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF