V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
Abstract
In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60-80 min at 1450-1500 C by using a simple and low-cost method in an industrial furnace with a resistant heater.У даній роботі представлено простий і зручний підхід для вирощування нанодротів карбіду кремнію (SiCNWs) безпосередньо на джерело вуглецю з графіту. У якості вихідних матеріалів були використані промисловий порошок SiO і дешевий звичайний графіт. SiCNWs були синтезовані за допомогою простого і недорогого методу під час витримки в промисловій печі зі стійкими нагрівачем 60-80 хв при температурі 1450-1500 С.В данной работе представлен простой и удобный подход для выращивания нанопроволок карбида кремния (SiCNWs) непосредственно на источнике углерода из графита. В качестве исходных материалов были использованы промышленный порошок SiO и дешевый обычный графит. SiCNWs были синтезированы с помощью простого и недорогого метода во время выдержки в промышленной печи с устойчивыми нагревателем 60-80 мин при температуре 1450-1500 С
