Разработан автоматизированный комплекс для исследования свойств полупроводниковых структур, позволяющий измерять широкий набор их электрофизических и фотоэлектрических характеристик за счет применения доработанных авторами измерительных методик, схемотехнических и конструкторско-технологических решений. По сравнению с известными аналогами комплекс позволяет измерять более широкий набор параметров структур с более высокой точностью. При этом повышена долговременная стабильность измерений и независимость результатов измерений от температуры и влажности окружающей среды