电子成像均匀约束磁场的产生及测试分析

Abstract

为增加离子与原子碰撞成像系统中探测电子的立体角,设计了一约束电子的复合型亥姆霍兹线圈装置.对复合型亥姆霍兹线圈的磁场分布进行了理论计算和分析,并对制作的复合型亥姆赫兹线圈产生的磁场进行了实验测量,得出磁场的均匀性好于±0.6%