Imager les interférences quantiques dans les semi-conducteurs

Abstract

Une nouvelle microscopie à sonde locale a été développée pour étudier les dispositifs mésoscopiques semiconducteurs dont les électrons de conduction sont enfouis à plusieurs dizaines de nanomètres sous la surface. Cette microscopie mesure les variations de conductance pendant qu’une pointe nanométrique à laquelle on applique une tension est déplacée au-dessus du dispositif pour modifier localement le potentiel électrostatique comme une grille locale. Cet article présente les effets observés expérimentalement sur des anneaux quantiques, ainsi que des simulations théoriques mettant en évidence la correspondance entre les images de conductance et la densité d’états locale