In this paper, the electronic and transport properties of two-dimensional (2D) Janus TiSiSeP2 monolayer were studied using density functional theory (DFT). The results exhibited that the Janus TiSiSeP2 monolayer is structurally stable and can be experimentally synthesized. At the ground state, the Janus TiSiSeP2 monolayer is an indirect semiconductor with a band gap of 1.23 eV at the hybrid functional HSE06 level. The electronic characteristics of TiSiSeP2 depend highly on an applied strain, expecially the band gap. Besides, the transport characteristics of TiSiSeP2 are also systematically investigated in the present work. Our findings contributed to a better understanding of the physical properties of 2D Janus TiSiSeP2 monolayer.Trong bài báo này, các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2 được nghiên cứu bằng pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Các tính toán cho thấy đơn lớn TiSiSeP2 có cấu trúc bền vững và có khả năng tổng hợp được bằng thực nghiệm. Ở trạng thái cơ bản, đơn lớp Janus TiSiSeP2 là bán dẫn với vùng cấm xiên có bề rộng là 1,23 eV khi được tính bằng phiếm hàm lai HSE06. Các đặc trưng điện tử của TiSiSeP2 phụ thuộc rất lớn vào biến dạng, đặc biệt là độ rộng vùng cấm. Bên cạnh đó, các đặc trưng truyền dẫn của TiSiSeP2 cũng đã được tính toán một cách hệ thống trong bài báo này. Các kết quả nghiên cứu góp phần hiểu rõ hơn về các tính chất vật lý của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2
