Dispositif a Semi-Conducteur Avec Structure De Passivation Des Surfaces Recombinantes

Abstract

La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (110), comportant une jonction p-n (12), ladite jonction p-n comprenant une première (16) et une deuxième (17) couches sensiblement planes, au contact l'une de l'autre, définissant une direction d'empilement (Z), chacune des première et deuxième couches comprenant un bord latéral (22, 24), lesdits bords latéraux étant sensiblement dans un prolongement l'un de l'autre selon la direction d'empilement. Le dispositif comporte en outre une structure de passivation (113), telle que la première couche (16) est disposée entre ladite structure de passivation et la deuxième couche (17) selon la direction d'empilement, ladite structure de passivation étant configurée de sorte à générer dans la jonction p-n une zone de déplétion sensiblement annulaire à proximité du bord latéral des première et deuxième couches, ladite zone de déplétion entourant une zone centrale non déplétée