Raspršenje sinhrotronskog zračenja na malim kutovima priklona i raspršenja u tankim slojevima praha tio2 pripremljenim polaganjem iz para i rasprašivanjem
Nanosized TiO2, 1 μm thick, films on glass substrate were prepared using chemical vapour deposition (CVD) and spray method procedure. The average grain size , obtained by grazing-incidence small-angle scattering of synchrotron radiation (GISAXS) varied with the annealing temperature (500 to 900 °C in H2, O2 and N2) for the CVD prepared samples. For TiO2 films obtained by the spray method, increased with annealing temperature from 4.2 to 7.2 nm. Specific surface areas of both films were also determined and varied from 0.18·107 to 3.2·107 cm-1.Sloj TiO2 nanometarske veličine zrna, debljine 1 µm, polagao se je na staklene podloge metodama kemijskog polaganja iz para i rasprašivanjem. Prosječna veličina zrna, MRN, određena mjerenjem raspršenja sinhrotronskog zračenja na malim kutovima priklona i raspršenja, mijenjala se je s temperaturom toplinskog otpuštanja (500 do 900 °C u H2, O2 i N2) za uzorke pripremljene iz para. Za uzorke TiO2 pripremljene rasprašivanjem, MRN se je povećao s temperaturom otpuštanja od 4.2 do 7.2 nm. Spečificna površina obje vrste tankih slojeva se je također određivala i mijenjala od 0.18 · 10^7 do 3.2·10^7 cm-1
