The influence of isochronal and isothermal annealing for 0 to 180 minutes and at 27 to 250°C, respectively, on the optical and electrical properties of thin films of Sb2S3 have been investigated. The films deposited on glass substrate by thermal vacuum evaporation have amorphous structure, but after annealing at temperatures above 200°C for 3 hours, they change to polycrystalline structure. The optical absorption coefficient becomes higher for subgap absorption at higher annealing temperatures. The value of the optical Tauc gap and direct band gap changed with the annealing temperature. The dark electrical resistivity showed a decrease by about an order of magnitude when increasing both the isochronal and isothermal annealing treatment.Ispitivao se je utjecaj izotermičkog toplinskog otpuštanja na optička i električna svojstva tankih slojeva Sb2S3 na temperaturama 27 do 250° C i u vremenima od 0 do 180 minuta. Tanki slojevi dobiveni vakuumskim naparavanjem na staklenu podlogu imaju amorfnu strukturu, ali nakon otpuštanja iznad 200° C kroz 3 sata oni mijenjaju strukturu u polikristaliničnu. Optički apsorpcijski koeficijent raste za podprocijepnu apsorpciju s povišenjem temperature otpuštanja. Vrijednost optičkog Taucovog procijepa i izravni procijep mijenjali su se s temperaturom otpuštanja. Tamna električna otpornost se je smanjila za red veličine kada se je povećalo vrijeme otpuštanja i temperatura
