Photon-stimulated desorption of positive hydrogen ions from hydrogenated diamond and GaAs surfaces have been studied for incident photon energies around core-level binding energies of substrate atoms. In the case of diamond surfaces, the comparison between the H+ yield and the near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) for electrons of selected kinetic energies reveals two different processes leading to photodesorption: an indirect process involving secondary electrons from the bulk and a direct process involving core-level excitations of surface carbon atoms bonded to hydrogen. The comparison of H+ photodesorption and electron photoemission as the function of photon energy from polar and non-polar GaAs surfaces provides clear evidence for direct desorption processes initiated by ionisation of corresponding core levels of bonding atoms.Proučavali smo fotonima stimuliranu desorpciju pozitivnih iona vodika iz hidrogeniziranih površina dijamanta i GaAs, za fotone energije oko energija vezanja unutarnjih elektrona atoma podloge. U slučaju površine dijamanta, usporedba prinosa H+ i fine strukture blizu-rubne apsorpcije X-zračenja (NEXAFS) za elektrone odabranih kinetičkih energija otkriva dva različita procesa koji uzrokuju fotodesorpciju: posredan proces uz sudjelovanje sekundarnih elektrona iz osnovnog materijala, i izravan proces uzrokovan uzbudom unutarnjih elektrona površinskih atoma ugljika vezanih na vodik. Usporedba fotodesorpcije H+ i emisije elektrona u ovisnosti o energiji fotona iz polarnih i nepolarnih površina GaAs daje jasne dokaze za izravne procese desorpcije uzrokovane ionizacijom odgovarajućih unutarnjih stanja veznih atoma
