L'HAXPES de laboratoire pour les nouvelles technologies en microélectronique

Abstract

International audienceLa spectroscopie de photoémission à haute énergie (HAXPES) est une technique en plein essor grâce au développement d'instruments de laboratoire équipés de sources de rayons X durs. L'intérêt principal de l'HAXPES est l'augmentation de la profondeur sondée pour analyser la composition chimique d'interfaces et/ou de couches actives enterrées2. Cette technique est essentielle pour l'optimisation des dispositifs développés pour la microélectronique, qui sont souvent des structures multicouches complexes où les interfaces jouent un rôle clé. Nous présentons des résultats récents obtenus en utilisant un instrument de laboratoire (Quantes, ULVAC-PHI) équipé d'une source Cr K (h=5415 eV) pour l'analyse de dispositifs tels que les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) et les mémoires résistives (OxRRAMs)