Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Abstract
The influence of silicon dioxide (α-SiO₂) and the absorbed dose of γ-irradiation on the electret properties of
UHMWPE+α-SiO₂ composites were studied. It is established that the dependence of the stabilized charge on the
volume content of the α-SiO₂ filler has an extreme character: at 1% α-SiO₂, the charge reaches a maximum and then
decreases. TSD spectra show that the thermalstability of electrets of the UHMWPE+1 vol.% α-SiO₂ composite is
improved. The nature of the TSD current of the films which preliminarily γ-irradiated up to 50…100 kGy doses
proves that after γ-irradiation the charges injected from corona discharge zone are mainly accumulated in the
subsurface layers. However, the deterioration of the electret properties of composites irradiated at high doses of
γ-irradiation is related both to an increase in electrical conductivity so, and an increase in the rate of charge
relaxation.Вивчено вплив діоксиду кремнію (α-SiO₂) і поглинутої дози γ-опромінення на електретні властивості
композитів надвисокомолекулярного поліетилену (НВМПЕ)+α-SiO₂. Встановлено, що залежність
стабілізованого заряду від об'ємного вмісту наповнювача α-SiO₂ має екстремальний характер: при 1% α-SiO₂
заряд досягає максимуму, а потім зменшується. На основі аналізу спектрів ТСД показано, що поліпшується
термостабільність електретів з композиту НВМПЕ+1% α-SiO₂. Характер струму ТСД попередньо
γ-опромінених до доз 50...100 кГр плівок доводить, що після γ-опромінення інжектовані із зони корони
заряди в основному накопичуються в приповерхневих шарах. Погіршення електретних властивостей
попередньо γ-опромінених композитів пов'язано як з підвищенням електропровідності, так і зі зростанням
швидкості релаксації зарядів.Изучены влияния диоксида кремния (α-SіО₂) и поглощенной дозы γ-облучения на электретные свойства
композитов сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ)+α-SіО₂.. Установлено, что зависимость
стабилизированного заряда от объемного содержания наполнителя α-SіО₂ имеет экстремальный характер:
при 1% α-SіО₂ заряд достигает максимума, а затем уменьшается. На основе анализа спектров ТСД показано,
что улучшается термостабильность электретов из композита СВМПЭ+1% α-SіО₂. Характер тока ТСД
предварительно γ-облученных до доз 50…100 кГр пленок доказывает, что после γ-облучения
инжектированные из зоны короны заряды в основном накапливаются в приповерхностных слоях.
Ухудшение электретных свойств предварительно γ-облученных композитов связано как с повышением
электропроводности, так и с возрастанием скорости релаксации зарядов