Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Abstract
GaAs/AlAs supelattices with corrugated interfaces have been investigated by the polarized photoluminescence method. Using the theoretical approach, which associates the linear polarization of exciton photoluminescence with the corrugation parameters, experimental results have been fitted to determine the height and lateral extension of corrugations.Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей.Методом поляризованной фотолюминесценции исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs с корругированными гетерограницами. Путем сравнения експериментальных результатов с теоретическими расчетами, базирующимися на модели, которая связывает степень линейной поляризации экситонной фотолюминесценции з параметрами корругованностей, определены высота и латеральная протяженность корругованностей
