Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Abstract
Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices
